规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
300 |
晶体管类型 |
PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
500mV @ 50mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) |
10µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
40 @ 200mA, 1V |
功率 - 最大 |
60W |
频率转换 |
32MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-220-3 |
供应商器件封装 |
TO-220 |
包装材料
|
Bulk |
包装 |
3TO-220AB |
类型 |
PNP |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
80 V |
集电极最大直流电流 |
4 A |
最小直流电流增益 |
40@200mA@1V|20@1A@1V |
最大工作频率 |
32(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
0.5@50mA@1A V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
最大功率耗散 |
60000 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Bulk |
Categoria |
Bipolar Power |
Guadagno二科伦特直流Minimo浏览 |
40@200mA@1V|20@1A@1V |
Dissipazione massima della potenza |
60000 |
符合UE |
Compliant |
Confezione |
Bulk |
TIPO |
PNP |
诺姆标准苏拉confezione |
TO-220 |
Tensione massima dell'emittente del collettore |
80 |
Massima temperatura d'esercizio |
150 |
Frequenza di transizione massima |
32(Min) |
Temperatura d'esercizio minima |
-55 |
经conduttore |
Through Hole |
每个芯片NUMERO二培元 |
1 |
Confezione fornitore |
TO-220AB |
Corrente massima DC del collettore |
4 |
NUMERO DEI针 |
3 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
4A |
晶体管类型 |
PNP |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
32MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
500mV @ 50mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) |
10µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
80V |
供应商设备封装 |
TO-220 |
封装 |
Bulk |
功率 - 最大 |
60W |
封装/外壳 |
TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
40 @ 200mA, 1V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
300 |
增益带宽产品fT |
32 MHz |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 |
PNP |
最低工作温度 |
- 55 C |
系列 |
D45C11 |
直流集电极/增益hfe最小值 |
40 |
直流电流增益hFE最大值 |
120 |
单位重量 |
0.063493 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
80 V |
安装风格 |
Through Hole |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
连续集电极电流 |
4 A |
身高 |
9.4 mm (Max) |
长度 |
10.67 mm (Max) |
Pd - Power Dissipation |
60000 mW |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |